Asosiy kontentga oʻtish
Maqola

SI/Cu plenka sirtiga O 2 + ionlari bilan implantatsiya qilinganda nanoo‘lchamli plyonkasining hosil bo‘lishi

2025uz
Ochiq kirishYashil

Litsenziya: cc-by

ABI

Annotatsiya

O2+ ionlari bilan implantatsiya qilingandan kcyingi Si-Cu(lOO) sirt yuzasi va sirt qismi tarkibining va tarkibidagi atomlar taqsimlanishi tekshirilgan. Bu ishda Si/Cu(100) tizimini Ch+ ionlari bilan ionli implantatsiya qilish natijasida sirt yuza bo'ylab va sirt yuza qatlami tarkibidagi atomlarning taqsimlanishini tekshirish ishi birinchi marta o‘tkazilmoqda. Toza Si/Cu tizimini Ch+ iolari bilan implantatsiya qilish va qizdirish yo‘li bilan d ~1,5-2 nm qalinlikdagi SiCh nanoplyonkasini olish imkonini bcrar ckan.

Identifikatorlar

Iqtiboslar va manbalar

0 ta iqtibos0 ta foydalanilgan manba