Влияние имплантации ионов Ar+ и Cd+ на состав и электронную структуру монокристаллического теллурида цинка

Влияние ионной имплантации Ar+ и Cd+, а также последующего термического отжига было изучено на монокристаллическом образце ZnTe(111) с применением комплекса методов спектроскопии: ультрафиолетовой фотоэлектронной, поглощения света в УФ-. ИК-, видимой областях и Оже-электронной. Результаты исследований показали, что бомбардировка поверхности ионами Ar+ и Cd+ с энергией E0 = 1 кэВ до достижения дозы насыщения Dsat = (6–8)·1016 см−2 приводит к разрушению кристаллической структуры ионно-имплантированных слоев и, как следствие, к металлизации поверхности. В частности, после имплантации ионами Cd+ и последующего отжига при температуре Т = 850 K наблюдается формирование гомогенной сплошной пленки Zn0,5Cd0,5Te толщиной 30 – 35 Å, что свидетельствует о перераспределении компонентов и образовании нового фазового состояния на поверхности ZnTe. Результаты исследования тонких пленок Zn0,5Cd0,5Te демонстрируют наличие двух отчетливо выраженных максимумов в спектрах валентных электронов, соответствующих энергиям связи −1,4 эВ и −5,2 эВ.

Hali tarjima qilinmagan