Влияние допирования атомов бора на распределение заряда в двустенных углеродных нанотрубках

В работе исследовано воздействие допирования бором (B) на электрические характери-стики двуслойных углеродных нанотрубок (ДУНТ) в широком диапазоне температур(от 300 до 1500 К). Анализировано внедрение атомов бора в структуру ДУНТ (5,5)@(10,10) с целью выяснения влияния уровня допирования (ρ%) на распределение пар-циального заряда. Результаты показали, что легирование бором приводит к увеличениючастичного заряда в структуре нанотрубки, причем оно происходит нелинейно с ростомконцентрации допирования от 0 до 10%. Это объясняется тем, что бор обладает мень-шей электроотрицательностью по сравнению с углеродом, вследствие чего он вводитдырочные носители и улучшает p-тип проводимости. Однако при превышении уровнядопирования выше 5% образующиеся дефекты нарушают π-электронную систему, чтоприводит к снижению электропроводности. Итоговые данные свидетельствуют о том,что легирование бором оказывает комплексное влияние на структурные и электронныесвойства ДУНТ. Температура и концентрация легирующего элемента играют ключевуюроль в формировании эксплуатационных характеристик этих материалов.

Hali tarjima qilinmagan