Asosiy kontentga oʻtish
← Ishga qaytish

Ushbu ish iqtibos qilgan ishlar

23 ta ish

Ish: Defect Structure of Silicon Doped with Erbium

  1. Multiphonon Raman Spectrum of Silicon

    P. A. Temple, C. E. Hathaway

    Maqola19739 iqtibos
    ABI
  2. Electrophysical properties of silicon doped with lutetium

    Sh.Kh. Daliev, Sharifa B. Utamuradova

    MaqolaOchiq kirish20247 iqtibos
    ABI
  3. Raman spectroscopy of PtSi formation at the Pt/Si(100) interface

    J. C. Tsang, Y. Yokota, R. Matz +1

    Maqola19846 iqtibos
    ABI
  4. One and two-phonon Raman scattering from nanostructured silicon

    Igor Iatsunskyi, Grzegorz Nowaczyk, Stefan Jurga +3

    MaqolaOchiq kirish20155 iqtibos
    ABI
  5. Sarlavhasiz

    Boshqa3 iqtibos
    ABI
  6. Sarlavhasiz

    Boshqa2 iqtibos
    ABI
  7. Sarlavhasiz

    Boshqa2 iqtibos
    ABI
  8. Sarlavhasiz

    Boshqa2 iqtibos
    ABI
  9. Sarlavhasiz

    Boshqa2 iqtibos
    ABI
  10. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI
  11. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI
  12. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI
  13. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI
  14. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI