Growth of GaInAsSb Alloys by MOCVD and Characterization of GaInAsSb / GaSb p‐n Photodiodes
G. BougnotCentre d'Electronique de Montpellier, associé au CNRS (UA 391), Université des Sciences et Techniques du Languedoc, 34060 Montpellier‐Cédex, FranceF. DelannoyInstitut d'Électronique et des SystèmesA. FoucaranInstitut d'Électronique et des SystèmesF. PascalCentre d'Electronique de Montpellier, associé au CNRS (UA 391), Université des Sciences et Techniques du Languedoc, 34060 Montpellier‐Cédex, FranceF. RoumanilleCentre d'Electronique de Montpellier, associé au CNRS (UA 391), Université des Sciences et Techniques du Languedoc, 34060 Montpellier‐Cédex, FrancePhilippe GrosseCentre d'Electronique de Montpellier, associé au CNRS (UA 391), Université des Sciences et Techniques du Languedoc, 34060 Montpellier‐Cédex, FranceJ. BougnotCentre d'Electronique de Montpellier, associé au CNRS (UA 391), Université des Sciences et Techniques du Languedoc, 34060 Montpellier‐Cédex, France
1988en
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