Asosiy kontentga oʻtish
AkademIndex

Mahsulotlar

Ishlab chiquvchilar uchun

AkademBaseEkotizim uchun ochiq API
← Ishga qaytish

Ushbu ish iqtibos qilgan ishlar

11 ta ish

Ish: Ion bombardment effect on Si homoepitaxial growth from ion molecular beams

  1. Epitaxial growth of silicon assisted by ion implantation

    Tadatsugu Itoh, Tohru Nakamura

    Maqola19713 iqtibos
    ABI
  2. Role of ions in ion-based film formation

    Toshiyuki Takagi

    Maqola19822 iqtibos
    ABI
  3. Ion-based growth of special films: Techniques and mechanisms

    Christian Weißmantel

    Maqola19822 iqtibos
    ABI
  4. Epitaxial growth of Si on (1012) Al2O3 by partially ionized vapor deposition

    Saburo Shimizu, S. Komiya

    Maqola19802 iqtibos
    ABI
  5. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI
  6. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI
  7. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI
  8. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI
  9. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI