Asosiy kontentga oʻtish
AkademIndex

Mahsulotlar

Ishlab chiquvchilar uchun

AkademBaseEkotizim uchun ochiq API
← Ishga qaytish

Ushbu ish iqtibos qilgan ishlar

5 ta ish

Ish: Effect of thermal-field treatment and ionizing radiation on the energy spectrum of interfacial states at the Si-SiO2 interface of a MOS transistor

  1. A reliable approach to charge-pumping measurements in MOS transistors

    G. Groeseneken, H.E. Maes, N. Beltran +1

    Maqola19842 iqtibos
    ABI
  2. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI
  3. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI
  4. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI