Asosiy kontentga oʻtish
AkademIndex

Mahsulotlar

Ishlab chiquvchilar uchun

AkademBasetez oradaEkotizim uchun ochiq API
Lotin
← Ishga qaytish

Ushbu ish iqtibos qilgan ishlar

11 ta ish

Ish: Doping of <i>n</i>-type 6H–SiC and 4H–SiC with defects created with a proton beam

  1. Deep Defect Centers in Silicon Carbide Monitored with Deep Level Transient Spectroscopy

    T. Dalibor, Gerhard Pensl, H. Matsunami +4

    Maqola19975 iqtibos
    ABI

  2. Modification of semiconductors with proton beams. A review

    В. В. Козловский, В. А. Козлов, V. N. Lomasov

    Sharh maqola20003 iqtibos
    ABI

  3. High-resistance layers in <i>n</i>-type 4H-silicon carbide by hydrogen ion implantation

    Ravi K. Nadella, M. A. Capano

    Maqola19972 iqtibos
    ABI

  4. Deep level defects in alpha particle irradiated 6H silicon carbide

    George C. Rybicki

    Maqola19952 iqtibos
    ABI

  5. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  6. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  7. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  8. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  9. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  10. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  11. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI