DIOD REJIMIDA ULANGAN MAYDON TRANZISTORIGA YORUG'LIK TA'SIRINI O'RGANISH
ABI
Annotatsiya
Maqolada diod rejimida ulangan maydon tranzistoriga yorug’lik ta’siri o’rganilgan bo’lib, unga ko‘ra yoritilganlik intensivligining ortirilishi nurlanish yutilishining chuqurligi ortadi, p-n-o‘tishdagi kontakt potensiallar farqi kichrayib (n-qavatda diffuzion potensial to‘liq joylashgan) n-qavat kanali o‘tkazish qismi qalinligining ortishiga olib kelishi aniqlangan.
Mavzular
Identifikatorlar
Iqtiboslar va manbalar
0 ta iqtibos0 ta foydalanilgan manba