Maqola

Quantifying ion-induced defects and Raman relaxation length in graphene

Márcia Maria LuccheseDivisão de Metrologia de Materiais, Instituto Nacional de Metrologia, Normalização e Qualidade Industrial (INMETRO), Duque de Caxias, RJ 25250-020, BrazilFernando StavaleDivisão de Metrologia de Materiais, Instituto Nacional de Metrologia, Normalização e Qualidade Industrial (INMETRO), Duque de Caxias, RJ 25250-020, BrazilErlon H. Martins FerreiraDivisão de Metrologia de Materiais, Instituto Nacional de Metrologia, Normalização e Qualidade Industrial (INMETRO), Duque de Caxias, RJ 25250-020, BrazilCecília VilaniDivisão de Metrologia de Materiais, Instituto Nacional de Metrologia, Normalização e Qualidade Industrial (INMETRO), Duque de Caxias, RJ 25250-020, BrazilMarcus V. O. MoutinhoInstituto de Física, Universidade Federal do Rio de Janeiro, Cx. Postal 68528, Rio de Janeiro, 21941-972 RJ, BrazilRodrigo B. CapazDivisão de Metrologia de Materiais, Instituto Nacional de Metrologia, Normalização e Qualidade Industrial (INMETRO), Duque de Caxias, RJ 25250-020, BrazilCarlos A. AcheteDivisão de Metrologia de Materiais, Instituto Nacional de Metrologia, Normalização e Qualidade Industrial (INMETRO), Duque de Caxias, RJ 25250-020, BrazilAdo JórioDept. de Física, Universidade Federal de Minas Gerais, Belo Horizonte, MG 30123-970, Brazil

2010en

ABI

Annotatsiya

Annotatsiya mavjud emas.

Identifikatorlar

DOI: 10.1016/j.carbon.2009.12.057

Iqtiboslar va manbalar

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