RuO 2 -based thick film resistors studied by extended x-ray absorption spectroscopy
Carlo Meneghini; and Laboratori Nazionali di Frascati INFN, Via E. Fermi 40, I-00044 Frascati, ItalyS. MobilioDipartimento di Fisica, Terza Università di Roma, Via della Vasca Navale 84, I-00146 Roma, ItalyF. PivettiUniversità degli studi di Modena, via G. Campi, 213/A, I-41100 Modena, ItalyI. SelmiUniversità degli studi di Modena, via G. Campi, 213/A, I-41100 Modena, ItalyM. PrudenziatiUniversità degli studi di Modena, via G. Campi, 213/A, I-41100 Modena, ItalyB. MortenUniversità degli studi di Modena, via G. Campi, 213/A, I-41100 Modena, Italy
1999en
ABI
Annotatsiya
RuO 2 -based thick film resistors were studied by extended x-ray absorption fine structure. A bimodal distribution of RuO2 particle size has been determined by comparing the obtained results with x-ray diffraction data. The partial dissolution of RuO2 particles into the glassy matrix is suggested to be one of the principal mechanisms responsible for the electrical conduction in these materials.
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