Asosiy kontentga oʻtish
AkademIndex

Mahsulotlar

Ishlab chiquvchilar uchun

AkademBaseEkotizim uchun ochiq API
← Ishga qaytish

Ushbu ish iqtibos qilgan ishlar

23 ta ish

Ish: Defect Structure of Silicon Doped with Erbium

  1. Multiphonon Raman Spectrum of Silicon

    P. A. Temple, C. E. Hathaway

    Maqola19738 iqtibos
    ABI
  2. Raman spectroscopy of PtSi formation at the Pt/Si(100) interface

    J. C. Tsang, Y. Yokota, R. Matz +1

    Maqola19844 iqtibos
    ABI
  3. Electrophysical properties of silicon doped with lutetium

    Sh.Kh. Daliev, Sharifa B. Utamuradova

    Maqola20244 iqtibos
    ABI
  4. Initial Phase formation at the Interface of Ni, Pd, or Pt and Si

    R. J. Nemanich, Chia-Lun Tsai, B. Stafford +2

    Maqola19832 iqtibos
    ABI
  5. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI
  6. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI
  7. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI
  8. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI
  9. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI
  10. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI
  11. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI
  12. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI
  13. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI
  14. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI