Secondary ion yield variations due to cesium implantation in silicon
K. WittmaackGesellschaft für Strahlen — und Umweltforschung mbH, Physikalisch — Technische Abteilung, D-8042 Neuherberg, Fed. Rep. of Germany
1983en
ABI
Annotatsiya
Annotatsiya mavjud emas.
Identifikatorlar
Iqtiboslar va manbalar
2 ta iqtibos0 ta foydalanilgan manba