Tunnel effect in films of vanadium and its oxides

The tunnel junction properties of V–VxOy–Pb are investigated. Vanadium served as a basic film of the junctions. It was evaporated onto a glass substrate using an electronbeam heater. To form the barrier layer vanadium was oxidized in oxygen using a glow discharge. The current-voltage characteristics of these junctions and their first and second derivatives are studied. A specific feature in the I–U characteristics is observed at energies ΔPb – ΔV, which earlier could not be observed because of a great excess current through the junction and permits a direct measurement of the vanadium superconducting gap 2ΔV and the construction of its temperature dependence which coincides with the BKS theory with sufficient accuracy. The temperature dependence of the tunnel junction resistance is studied in a wide temperature range. The forbidden band width is measured for vanadium oxide and gives Eg = (0.1 to 0.3) eV. The tunnel junctions obtained do not change their characteristics under long-term preservation at normal conditions. Die Eigenschaften des Tunnelübergangs von V–VxOy–Pb werden untersucht. Vanadium dient dabei als Grundschicht des Übergangs. Es wird auf Glassubstrat mit einem Elektronenstrahlheizer aufgedampft. Um die Grenzschicht zu erzeugen, wird Vanadium in Sauerstoff mit einer Gasentladung oxydiert. Die Strom-Spannungs-Charakteristiken dieser Übergänge und ihre ersten und zweiten Ableitungen werden untersucht. Eine spezifische Besonderheit wird in den I–U-Charakteristiken bei Energien ΔPb – ΔV beobachtet, die früher auf Grund eines großen Überschußtromes durch den Übergang nicht beobachtbar war, und erlaubt eine direkte Bestimmung des Supraleitungsgaps von Vanadium 2ΔV sowie die Bestimmung seiner Temperaturabhängigkeit, die mit der BKS-Theorie mit genügender Genauigkeit übereinstimmt. Die Temperaturabhängigkeit des Widerstands des Tunnelübergangs wird in einem großen Temperaturbereich untersucht. Die Breite der verbotenen Zone wird für Vanadiumoxid gemessen und beträgt Eg = (0,1 bis 0,3) eV. Die erhaltenen Tunnelübergänge ändern ihre Charakteristiken bei langzeitiger Aufbewahrung unter normalen Bedingungen nicht.

Hali tarjima qilinmagan