V–VxOy–Pb Josephson tunnel junctions of high stability

Investigations are made on VVxOy–Pb Josephson junctions where the VxOy barrier is produced by plasma oxidation at the surface of V-stripe conducter. Objects of investigations are the relations between the evaporation conditions and the electric and superconducting properties of V films and fabrication of Josephson junctions. Determination of characteristic parameters of the Josephson junctions occurs from U–I characteristic and the magnetic field dependence of critical Josephson current. Results on stability of the VVxOy–Pb Josephson junctions against temperature changes and storage at atmospheric air and room temperature over 430 d are discussed. VVxOy–Pb-Josephson-Tunnelübergänge werden untersucht, bei denen die VxOy-Barriere durch Plasmaoxydation an der Oberfläche des V-Bandleiters erzeugt wird. Es werden die Beziehungen zwischen Aufdampfbedingungen und den elektrischen und supraleitenden Eigenschaften von V-Bandleitern und Probleme der Herstellung des Josephson-Tunnelüberganges untersucht. Die Bestimmung der charakteristischen Parameter des Josephson-Tunnelüberganges erfolgt aus der U–I-Kennlinie und der Magnetfeldabhängigkeit des kritischen Josephson-Stromes. Die Ergebnisse über Temperaturwechselbeständigkeit und Stabilität der VVxOy–Pb-Josephson-Tunnelübergänge bei Lagerung an atmosphärischer Luft und Zimmertemperatur über eine Zeit von 430 d werden diskutiert.

Hali tarjima qilinmagan