Maqola

Growth of crack-free GaN on Si(111) with graded AlGaN buffer layers

A. AbleInstitut für Experimentelle und Angewandte Physik, Universität Regensburg, Universitätsstr. 31, D-93053 Regensburg, GermanyW. WegscheiderInstitut für Experimentelle und Angewandte Physik, Universität Regensburg, Universitätsstr. 31, D-93053 Regensburg, GermanyKarl EnglInstitut für Experimentelle und Angewandte Physik, Universität Regensburg, Universitätsstr. 31, D-93053 Regensburg, GermanyJ. ZweckInstitut für Experimentelle und Angewandte Physik, Universität Regensburg, Universitätsstr. 31, D-93053 Regensburg, Germany

2005en

ABI

Annotatsiya

Annotatsiya mavjud emas.

Identifikatorlar

DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2004.12.003

Iqtiboslar va manbalar

2 ta iqtibos0 ta foydalanilgan manba

Koʻrsatkichlar — AkademScholar