Ellipsometric Investigation of Ag-Doping Profiles in Amorphous Chalcogenide Thin Films
Abstract
With the assumption of different refractive index profiles ellipsometric data are calculated for thermally Ag-doped (Ge-Se) and (As-Se) thin films and compared with experimental values. Best correspondence is obtained with a step-like profile. The results are explained in terms of a diffusion controlled solid state reaction at the interface between doped and undoped chalcogenide. Mit der Annahme verschiedener Brechzahlprofile werden die ellipsometrischen Meßgrößen für thermisch Ag-dotierte, dünne (Ge-Se)- und (As-Se)-Schichten berechnet und mit experimentellen Werten verglichen. Die beste übereinstimmung liefcrt ein Stufenprofil. Die Ergebnisse werden mit einer diffusionsbestimmten Festkörperreaktion an der Grenzfläche zwischen dotiertem und un-dotiertem Chalkogenid erklärt.