Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 4

Работа: Behavior of excess currents in n-type gallium arsenide tunnel diodes

1. Excess Tunnel Current in Silicon Esaki Junctions

   A. G. Chynoweth, W. L. Feldmann, R. A. Logan

   Статья1961Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.410272

2. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.669712

3. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.669713

4. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.669714