The Capacitance and Characteristic Relaxation Times at Carrier Exclusion in Compensated Semiconductors with Deep Traps and Non-Injecting Contacts
D. A. AronovS.V. Starodubtsev Physico-Technical Institute, Academy of Sciences of the Uzbek SSR, TashkentB. R. MamatkulovV. I. Lenin State University, Tashkent
ABI
Аннотация
Аннотация отсутствует.
Темы
Идентификаторы
Цитирования и источники
Цитирований: 0Использованных источников: 1