Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 6

Работа: Computer Simulation of Current–Voltage Characteristics in Amorphous Silicon p–n Diode Structures under Impurity Photoexcitation

1. Statistics of the Recombinations of Holes and Electrons

   W. Shockley, W. T. Read

   Статья1952Цитирований: 19

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.357503

2. Determination of depletion width in amorphous materials using a simple analytical model

   M. S. Shur, W. Czubatyj, A. Madan

   Статья1980Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.654718

3. Energy Conversion Process of p-i-n Amorphous Si Solar Cells

   Yukinori Kuwano, Shinya Tsuda, M. Ohnishi

   Статья1982Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.654719

4. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.670177

5. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.670178

6. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.670179