Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 6

Работа: “Radiation Sieve” Effect during Epitaxy from Low Energy Ion-Molecular Flow

1. Epitaxial growth of Si on (1012) Al2O3 by partially ionized vapor deposition

   Saburo Shimizu, S. Komiya

   Статья1980Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.650983

2. Ion bombardment effect on Si homoepitaxial growth from ion molecular beams

   T.S. Pugacheva, М. С. Саидов, A. S. Lutovich

   СтатьяIon-surface interactions and analysisRadiation Effects1987Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/1987.article.000061

3. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.652956

4. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.652957

5. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.652958

6. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.652959