Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 3

Работа: Doping mechanisms of gallium arsenide with tin in gas phase epitaxy processes

1. Без названия

   ДругоеЦитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.646501

2. Properties of Sn-doped GaAs

   Jun‐ichi Nishizawa, Satoshi Shinozaki, Katsuhiko Ishida

   Статья1973Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.659269

3. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.659268