Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 5

Работа: Properties of SiC on Si Substrate Films Obtained Using the Plasma-Chemical Method

1. Production of large-area single-crystal wafers of cubic SiC for semiconductor devices

   Shigehiro Nishino, J. A. Powell, Hannes Will

   Статья1983Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.605511

2. ‘‘Buffer-layer’’ technique for the growth of single crystal SiC on Si

   Arrigo Addamiano, J.A. Sprague

   Статья1984Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.605514

3. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.625433

4. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.625434

5. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.625435