Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 12

Работа: Lasing in submonolayer CdSe structures in a ZnSe matrix without external optical confinement

  1. Growth by molecular beam epitaxy and characterization of InAs/GaAs strained-layer superlattices

    Leon J. Goldstein, Frank Glas, J. Y. Marzin +2

    Статья1985Цитирований: 4
    ABI
  2. Ground state exciton lasing in CdSe submonolayers inserted in a ZnSe matrix

    N. N. Ledentsov, I. L. Krestnikov, M. V. Maximov +6

    Статья1996Цитирований: 4
    ABI
  3. Hot excitons in semiconductors

    S. Permogorov

    Статья1975Цитирований: 3
    ABI
  4. Initial stages of InAs epitaxy on vicinal GaAs(001)-(2×4)

    V. Bressler-Hill, A. Lorke, Shikha Varma +3

    Статья1994Цитирований: 3
    ABI
  5. Energy levels and exciton oscillator strength in submonolayer InAs-GaAs heterostructures

    M. V. Belousov, N. N. Ledentsov, M. V. Maximov +7

    Статья1995Цитирований: 3
    ABI
  6. Ordered arrays of quantum dots: Formation, electronic spectra, relaxation phenomena, lasing

    N. N. Ledentsov, Marius Grundmann, N. Kirstaedter +16

    Статья1996Цитирований: 3
    ABI
  7. Exciton-related lasing mechanism in ZnSe-(Zn,Cd)Se multiple quantum wells

    Yoichi Kawakami, I. Hauksson, H. Stewart +4

    Статья1993Цитирований: 2
    ABI
  8. Magneto-optical properties in ultrathin InAs-GaAs quantum wells

    P. D. Wang, N. N. Ledentsov, C. M. Sotomayor Torres +5

    Статья1994Цитирований: 2
    ABI