Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 5

Работа: Effect of thermal-field treatment and ionizing radiation on the energy spectrum of interfacial states at the Si-SiO2 interface of a MOS transistor

1. Correlating the Radiation Response of MOS Capacitors and Transistors

   P.S. Winokur, J.R. Schwank, P. J. McWhorter +2

   Статья1984Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.666129

2. A reliable approach to charge-pumping measurements in MOS transistors

   G. Groeseneken, H.E. Maes, N. Beltran +1

   Статья1984Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.666131

3. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.666130

4. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.666132

5. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.666133