Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 6

Работа: Lasing in submonolayer InAs/AlGaAs structures without external optical confinement

1. Ground state exciton lasing in CdSe submonolayers inserted in a ZnSe matrix

   N. N. Ledentsov, I. L. Krestnikov, M. V. Maximov +6

   Статья1996Цитирований: 4

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.528146

2. Initial stages of InAs epitaxy on vicinal GaAs(001)-(2×4)

   V. Bressler-Hill, A. Lorke, Shikha Varma +3

   Статья1994Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.605787

3. Energy levels and exciton oscillator strength in submonolayer InAs-GaAs heterostructures

   M. V. Belousov, N. N. Ledentsov, M. V. Maximov +7

   Статья1995Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.608673

4. Magneto-optical properties in ultrathin InAs-GaAs quantum wells

   P. D. Wang, N. N. Ledentsov, C. M. Sotomayor Torres +5

   Статья1994Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.608670

5. Resonant spin-flip Raman scattering and localized exciton luminescence in submonolayer InAs-GaAs structures

   A. A. Sirenko, T. Ruf, N. N. Ledentsov +4

   Статья1996Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.608671

6. Optical characterization of submonolayer and monolayer InAs structures grown in a GaAs matrix on (100) and high-index surfaces

   P. D. Wang, N. N. Ledentsov, C. M. Sotomayor Torres +2

   Статья1994Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.608674