Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 8

Работа: Investigation of the growth characteristics of epitaxial GaN layers on sapphire by microcathodoluminescence

1. Near ultraviolet luminescence of Be doped GaN grown by reactive molecular beam epitaxy using ammonia

   A. Salvador, W. Kim, Özgür Aktaş +3

   Статья1996Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.566385

2. Effects of ain buffer layer on crystallographic structure and on electrical and optical properties of GaN and Ga1−AlN (0 < x ≦ 0.4) films grown on sapphire substrate by MOVPE

   Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Yasuo Koide +2

   Статья1989Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.604276

3. Spatial distribution of the luminescence in GaN thin films

   F. A. Ponce, D. P. Bour, Werner Götz +1

   Статья1996Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.611529

4. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.669310

5. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.669311

6. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.669312

7. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.669313

8. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.669314