Работы, цитирующие эту работу

Работ: 1

Работа: Investigation of the silicon ion density during molecular beam epitaxy growth

1. Epitaxial growth of Ge nanoislands on Si/Ge heterostructure by ion-assisted MBE method

   Х. Б. Ашуров, Flyura Djurabekova, С. Е. Максимов +3

   СтатьяIon-surface interactions and analysisNuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B Beam Interactions with Materials and Atoms2011Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2011.article.000307