Electrical Characteristics of 4H-SiC pn Diode Grown by LPE Method
N.I. KuznetsovIoffe Physicotechnical Institute RASD. A. BaumanA.V. GavrilinIoffe Physicotechnical Institute RASEvgenia V. KalininaIoffe Physicotechnical Institute RAS
ABI
Аннотация
Аннотация отсутствует.
Темы
Идентификаторы
Цитирования и источники
Цитирований: 2Использованных источников: 0