Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 2

Работа: Effect of ultrasonic treatment on the generation characteristics of irradiated silicon-silicon-dioxide interface

1. The physics of semiconductor devices

   H. L. Grubin

   Статья1979Цитирований: 18

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.199254

2. The Pulsed MIS Capacitor. A Critical Review

   Jaehyeon Kang, D.K. Schroder

   Обзорная статья1985Цитирований: 7

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.527893