Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 5

Работа: Current Analysis of Ion Implanted p<sup>+</sup>/n 4H-SiC Junctions: Post-Implantation Annealing in Ar Ambient

1. Double Injection in Insulators

   Murray A. Lampert

   Статья1962Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.529502

2. Performance limiting surface defects in SiC epitaxial p-n junction diodes

   Tsunenobu Kimoto, N. Miyamoto, H. Matsunami

   Статья1999Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.529505

3. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.529501

4. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.529503

5. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.529504