Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 12

Работа: Positron probing of gamma-irradiated Ge doped with P, As, Sb, and Bi: Changes in atomic structures of defects due to n→p conversion

  1. Impurities and point defects in semiconductors

    V. V. Emtsev, T.V. Mashovets

    Статья1981Цитирований: 7
    ABI

  2. Condensed matter : new research

    Mrinmay Das

    Книга2007Цитирований: 5
    ABI

  3. Theory of Positron Annihilation in Solids

    Richard A. Ferrell

    Статья1956Цитирований: 5
    ABI

  4. Vacancy–group-V-impurity atom pairs in Ge crystals doped with P, As, Sb, and Bi

    В. П. Маркевич, I.D. Hawkins, А. R. Peaker +5

    Статья2004Цитирований: 4
    ABI

  5. Positron probing of point V-group impurity-vacancy complexes in γ-irradiated germanium

    N.Yu. Arutyunov, V. V. Emtsev

    Статья2006Цитирований: 3
    ABI

  6. Donor-vacancy complexes in Ge: Cluster and supercell calculations

    J. Coutinho, Sven Öberg, V. J. B. Torres +3

    Статья2006Цитирований: 2
    ABI

  7. Configuration of DV Complexes In Ge: Positron Probing of Ion Cores

    N.Yu. Arutyunov, V. V. Emtsev, E.M. Sayed +1

    Статья2007Цитирований: 2
    ABI

  8. Elementally specific electron–positron annihilation radiation emitted from ion cores of group-V impurity–vacancy complexes in germanium

    N.Yu. Arutyunov, V. V. Emtsev

    СтатьяMuon and positron interactions and applicationsPhysica B Condensed Matter2007Цитирований: 1
    ABI

  9. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI