Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 6

Работа: Growth and properties of single crystals of Si1 − x Ge x (0 < x < 0.35) solid solutions

1. Laterally-Graded SiGe Crystals for High Resolution Synchrotron Optics

   A. Erko, N. V. Abrosimov, V. Alex

   Статья2002Цитирований: 6

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.609957

2. Transient Response of a <i>p-n</i> Junction

   Benjamin Lax, S. F. Neustadter

   Статья1954Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.603198

3. Study of bulk grown silicon–germanium radiation detectors

   A. Ruzin, S. Marunko, Y. Gusakov

   Статья2004Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.625342

4. Dark properties and transient current response of Si0.95Ge0.05 n+p devices

   A. Ruzin, S. Marunko, N. V. Abrosimov +1

   Статья2003Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.625343

5. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.625341

6. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.625344