Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 11

Работа: Effect of surface chemical treatments on Ti-p-Si1 − x Gex and Ni-p-Si1 − x Ge x contact properties

  1. Physics of Semiconductor Devices

    J.-P. Colinge, Cindy Colinge

    Книга2002Цитирований: 58
    ABI

  2. The physics of semiconductor devices

    R. H. Rediker

    Статья1970Цитирований: 11
    ABI

  3. Methods for measuring parameters of semiconductor materials

    Diana E. Tuzova, Ekaterina A. Pecherskaya, Mikhail A. Nelyutskov +1

    Статья2023Цитирований: 4
    ABI

  4. Surface barrier detectors using aluminum on n- and p-type silicon for α-spectroscopy

    H. Rahab, A. Keffous, H. Menari +3

    Статья2001Цитирований: 3
    ABI

  5. Barrier heights and silicide formation for Ni, Pd, and Pt on silicon

    G. Ottaviani, K. N. Tu, J. W. Mayer

    Статья1981Цитирований: 2
    ABI

  6. Fabrication and characterization of Au/n-Si photodiode with lithium as back-surface-field

    A. Keffous, Marwa Zitouni, Y. Belkacem +2

    Статья2002Цитирований: 2
    ABI

  7. Modification of Al/Si interface and Schottky barrier height with chemical treatment

    Zs. J. Horváth, M. Ádám, I.A. Szabó +2

    Статья2002Цитирований: 2
    ABI

  8. Electron-Hole Recombination in Germanium

    R. N. Hall

    Статья1952Цитирований: 2
    ABI

  9. Thermal reaction of nickel and Si0.75Ge0.25 alloy

    K. L. Pey, W. K. Choi, Sujay Chattopadhyay +4

    Статья2002Цитирований: 2
    ABI

  10. The interfacial reaction of Ni with (111)Ge, (100)Si0.75Ge0.25 and (100)Si at 400 °C

    L.J. Jin, K. L. Pey, W. K. Choi +6

    Статья2004Цитирований: 2
    ABI

  11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI