Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 10

Работа: Features of the Formation of Impurity-Defective Centers in Silicon Doped with Chromium

  1. Deep-level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors

    D. V. Lang

    Статья1974Цитирований: 9
    ABI

  2. Impurities and point defects in semiconductors

    V. V. Emtsev, T.V. Mashovets

    Статья1981Цитирований: 7
    ABI

  3. Electrophysical properties of Silicon doped by Nickel impurity using Diffusion method

    Sharifa B. Utamuradova

    СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesInternational Journal of Emerging Trends in Engineering Research2020Цитирований: 3
    ABI

  4. Capacitance Transient Spectroscopy

    G. L. Miller, D. V. Lang, Lionel C. Kimerling

    Статья1977Цитирований: 3
    ABI

  5. Transition-metal impurities in semiconductors

    Peter Vogl

    Глава2007Цитирований: 2
    ABI

  6. Electrical observation of the Au-Fe complex in silicon

    S. D. Brotherton, Peter D. Bradley, A. Gill +1

    Статья1984Цитирований: 2
    ABI

  7. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  8. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  9. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI