Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 15

Работа: Thermodynamic determination of optimal conditions for growing Si1-xGex crystals from a tin solution on a silicon substrate

  1. Mechanisms of Nucleation and Growth of Nanoparticles in Solution

    Nguyễn Thị Kim Thanh, N. Maclean, S. Mahiddine

    Обзорная статья2014Цитирований: 6
    ABI

  2. Crystal Growth Technology

    Книга2003Цитирований: 3
    ABI

  3. SiGe films and graded buffers grown by liquid phase epitaxy from different growth solution compositions

    Jun Wang, Nathaniel J. Quitoriano

    Статья2019Цитирований: 3
    ABI

  4. Impurities in Semiconductors

    Victor I. Fistul

    Книга2004Цитирований: 3
    ABI

  5. Preparation and Morphological Studies of Epitaxial Layers of a Solid Solution Si1–xGex

    А. С. Саидов, Alozhon Sh. Razzokov

    СтатьяSilicon Nanostructures and PhotoluminescenceSiberian Journal of Physics2020Цитирований: 2
    ABI

  6. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  7. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  8. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  9. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI