Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороОткрытый API экосистемы
Латиница
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 31

Работа: X-Ray Diffraction and Raman Spectroscopy Analyses of GaSb-Enriched Si Surface Formed by Applying Diffusion Doping Technique

  1. Raman spectra of Si-implanted GaSb

    Yan Su, Kwang-Jow Gan, J. S. Hwang +1

    Статья1990Цитирований: 2
    ABI
  2. X-ray diffraction study of GaSb grown by molecular beam epitaxy on silicon substrates

    Jean‐Baptiste Rodriguez, K. Madiomanana, L. Cerutti +2

    Статья2016Цитирований: 2
    ABI
  3. III–V compound materials and lasers on silicon

    Wenyu Yang, Yajie Li, Fangyuan Meng +6

    Статья2019Цитирований: 2
    ABI
  4. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  5. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  6. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  7. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  8. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  9. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  17. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  18. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  19. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  20. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  21. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  22. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  23. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI