Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороОткрытый API экосистемы
Латиница
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 29

Работа: Non-volatile phototransistor based on two dimensional MoTe<sub>2</sub> nanostructures

  1. Van der Waals heterostructures

    A. K. Geim, I. V. Grigorieva

    Статья2013Цитирований: 12
    ABI
  2. Ultrasensitive photodetectors based on monolayer MoS2

    Oriol Lopez-Sanchez, Dominik Lembke, Metin Kayci +2

    Статья2013Цитирований: 8
    ABI
  3. Room-Temperature Quantum Hall Effect in Graphene

    Kostya S. Novoselov, Zhewei Jiang, Y. Zhang +7

    Статья2007Цитирований: 4
    ABI
  4. Unconventional quantum Hall effect and Berry’s phase of 2π in bilayer graphene

    Kostya S. Novoselov, Edward McCann, С. В. Морозов +6

    Статья2006Цитирований: 4
    ABI
  5. Highly efficient gate-tunable photocurrent generation in vertical heterostructures of layered materials

    Woo Jong Yu, Yuan Liu, Hailong Zhou +4

    Статья2013Цитирований: 3
    ABI
  6. Ambipolar MoTe<sub>2</sub> Transistors and Their Applications in Logic Circuits

    Yen‐Fu Lin, Yong Xu, Sheng‐Tsung Wang +9

    Статья2014Цитирований: 2
    ABI
  7. Enhancing photoresponsivity using MoTe2-graphene vertical heterostructures

    Manabendra Kuiri, Biswanath Chakraborty, Arup Kumar Paul +3

    Статья2016Цитирований: 2
    ABI
  8. Advanced Electronic Materials

    Другое2018Цитирований: 2
    ABI
  9. Lateral heterojunctions within monolayer MoSe2–WSe2 semiconductors

    Chun-Ming Huang, Sanfeng Wu, Ana M. Sánchez +7

    Другое2014Цитирований: 2
    ABI
  10. Exfoliated multilayer MoTe2 field-effect transistors

    Sara Fathipour, Nan Ma, Wan Sik Hwang +7

    Статья2014Цитирований: 2
    ABI
  11. Carrier Polarity Control in α-MoTe<sub>2</sub> Schottky Junctions Based on Weak Fermi-Level Pinning

    Shu Nakaharai, Mahito Yamamoto, Keiji Ueno +1

    Статья2016Цитирований: 2
    ABI
  12. Defect-Affected Photocurrent in MoTe<sub>2</sub> FETs

    Mohan Kumar Ghimire, Hyunjin Ji, Hamza Zad Gul +3

    Статья2019Цитирований: 2
    ABI
  13. Edge Contact for Carrier Injection and Transport in MoS<sub>2</sub> Field-Effect Transistors

    Homin Choi, Byoung Hee Moon, Jung Ho Kim +5

    Статья2019Цитирований: 2
    ABI
  14. Multilayer MoTe<sub>2</sub> Field‐Effect Transistor at High Temperatures

    Faisal Ahmed, Abde Mayeen Shafi, David M. A. Mackenzie +7

    Статья2021Цитирований: 2
    ABI
  15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 2
    ABI
  16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  17. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  18. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  19. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI