Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 36

Работа: Effect of Ge Incorporation on Lead‐free Cs‐based Triiodide Sn−Ge Co‐alloy Perovskite Thin Films by Spin Coating

1. Hybrid Germanium Iodide Perovskite Semiconductors: Active Lone Pairs, Structural Distortions, Direct and Indirect Energy Gaps, and Strong Nonlinear Optical Properties

   Constantinos C. Stoumpos, Laszlo Frazer, Daniel J. Clark +6

   Статья2015Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.283271

2. CsSnI₃: Semiconductor or Metal? High Electrical Conductivity and Strong Near-Infrared Photoluminescence from a Single Material. High Hole Mobility and Phase-Transitions

   In Jae Chung, Jung‐Hwan Song, Jino Im +6

   Статья2012Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.146746

3. Localized Electron Density Engineering for Stabilized B-γ CsSnI₃-Based Perovskite Solar Cells with Efficiencies >10%

   Tao Ye, Xizu Wang, Kai Wang +6

   Статья2021Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.146793

4. All-perovskite tandem solar cells with improved grain surface passivation

   Renxing Lin, Jian Xu, Mingyang Wei +16

   Статья2022Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.221364

5. All-perovskite tandem solar cells with improved grain surface passivation

   Renxing Lin, Jian Xu, Mingyang Wei +16

   СтатьяЦитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.221367

6. Strategies and methods for fabricating high quality metal halide perovskite thin films for solar cells

   Helian Sun, Pengfei Dai, Xiaotong Li +3

   Статья2021Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.274077

7. Metal Ions in Halide Perovskite Materials and Devices

   Peter N. Rudd, Jinsong Huang

   Статья2019Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.317618

8. Monolithic all-perovskite tandem solar cells with 24.8% efficiency exploiting comproportionation to suppress Sn(ii) oxidation in precursor ink

   Renxing Lin, Ke Xiao, Zhengyuan Qin +11

   Статья2019Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.317620

9. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.317605

10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.317606

11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.317607

12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.317608

13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.317609

14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.317610

15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.317611

16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.317612

17. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.317613

18. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.317614

19. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.317615

20. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.317616

21. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.317617

22. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.317619

23. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.317621

24. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.317622

25. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.317623