Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 10

Работа: To the Theory of Intraband Single-Photon Absorption of Light in Semiconductors with Zinc-Blende Structure

  1. Band parameters for III–V compound semiconductors and their alloys

    I. Vurgaftman, J. R. Meyer, L. R. Ram‐Mohan

    Статья2001Цитирований: 21
    ABI
  2. Nonlinear optical absorption and photocurrents in topological insulators

    N. V. Leppenen, L. E. Golub

    Статья2022Цитирований: 6
    ABI
  3. Parameter Sets Due to Fittings of the Temperature Dependencies of Fundamental Bandgaps in Semiconductors

    R. Pässler

    Статья1999Цитирований: 4
    ABI
  4. Theory of linear IR absorption by semiconductors with degenerate bands

    Д. А. Паршин, Andrew Shabaev

    Статья1987Цитирований: 2
    ABI
  5. Nonlinear intensity dependence of edge photocurrents in graphene induced by terahertz radiation

    S. Candussio, L. E. Golub, S. Bernreuter +7

    Статья2021Цитирований: 2
    ABI