Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 17

Работа: NDR in Co:SnO <sub>2</sub> Memristors: Nanocluster Control for Enhanced Performance

  1. Atomristor: Nonvolatile Resistance Switching in Atomic Sheets of Transition Metal Dichalcogenides

    Ruijing Ge, Xiaohan Wu, Myungsoo Kim +6

    Статья2017Цитирований: 5
    ABI

  2. Resistive Switching Behavior of SnO₂/ZnO Heterojunction Thin Films for Non-Volatile Memory Applications

    Jamoliddin X. Murodov, Sh. U. Yuldashev, Azamat O. Arslanov +6

    СтатьяAdvanced Memory and Neural ComputingEast European Journal of Physics2025Цитирований: 4
    ABI

  3. Без названия

    ДругоеЦитирований: 4
    ABI

  4. Memristive behavior of ZnO/NiO stacked heterostructure

    Rui Zhang, Sh. U. Yuldashev, Jung‐Kyu Lee +3

    Статья2013Цитирований: 2
    ABI

  5. Hysteretic current–voltage characteristics and resistance switching at a rectifying Ti∕Pr0.7Ca0.3MnO3 interface

    Akihito Sawa, Toshihiro Fujii, M. Kawasaki +1

    Статья2004Цитирований: 2
    ABI

  6. Transition Metal Chalcogenides: Ultrathin Inorganic Materials with Tunable Electronic Properties

    Thomas Heine

    Статья2014Цитирований: 2
    ABI

  7. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  8. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  9. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  17. Effect of SiO<sub>2</sub> and Post-Annealed Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> Buffer Layers on Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> Thin Film Growth and Properties

    Noiba U. Botirova, Azamat O. Arslanov, Gofur B. Eshonkulov +4

    СтатьяGa2O3 and related materialsCrystal Growth & Design2025Цитирований: 1
    ABI