Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 22

Работа: ITO Films Deposited on Silicon by CVD Method

  1. Physical properties of RF sputtered ITO thin films and annealing effect

    L. Kerkache, A. Layadi, El Hadj Dogheche +1

    Статья2005Цитирований: 3
    ABI
  2. Deposition of indium tin oxide by atmospheric pressure chemical vapour deposition

    Jeffrey M. Gaskell, David W. Sheel

    Статья2011Цитирований: 3
    ABI
  3. Characterization of Phosphoric Acid Doped N-type Silicon Thin Films Printed on ITO Coated PET Substrate

    M.K.M. Ali, K. Ibrahim, E.M. Mkawi +1

    Статья2013Цитирований: 3
    ABI
  4. Pulsed laser deposition of ITO thin films and their characteristics

    Dmitry Zuev, А. А. Лотин, O. A. Novodvorsky +7

    Статья2012Цитирований: 2
    ABI
  5. Transparent and conductive multi-functional window layer for thin-emitter Si solar cells

    Wang-Hee Park, Joondong Kim

    Статья2016Цитирований: 2
    ABI
  6. Hybrid Structures of ITO-Nanowire-Embedded ITO Film for the Enhanced Si Photodetectors

    Hyunki Kim, Gyeong‐Nam Lee, Joondong Kim

    Статья2018Цитирований: 2
    ABI
  7. Structural and morphological properties of ITO thin films grown by magnetron sputtering

    Zohreh Ghorannevis, E. Akbarnejad, M. Ghoranneviss

    Статья2015Цитирований: 2
    ABI
  8. Effect of ion treatment on the properties of In2O3:Sn films

    P. N. Krylov, Р. М. Закирова, И. В. Федотова +1

    Статья2013Цитирований: 2
    ABI
  9. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  17. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI