Перейти к основному содержанию
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 48

Работа: Investigation of electron irradiation effects on defect states in silicon using Raman and infrared spectroscopy methods

  1. Raman spectroscopy of PtSi formation at the Pt/Si(100) interface

    J. C. Tsang, Y. Yokota, R. Matz +1

    Статья1984Цитирований: 6
    ABI
  2. One and two-phonon Raman scattering from nanostructured silicon

    Igor Iatsunskyi, Grzegorz Nowaczyk, Stefan Jurga +3

    Статья2015Цитирований: 5
    ABI
  3. Raman shifts in Si nanocrystals

    Jian Zi, H. Büscher, Claus Falter +3

    Статья1996Цитирований: 5
    ABI
  4. Без названия

    ДругоеЦитирований: 4
    ABI
  5. Initial Phase formation at the Interface of Ni, Pd, or Pt and Si

    R. J. Nemanich, Chia-Lun Tsai, B. Stafford +2

    Статья1983Цитирований: 3
    ABI
  6. Без названия

    ДругоеЦитирований: 2
    ABI
  7. Без названия

    ДругоеЦитирований: 2
    ABI
  8. Без названия

    ДругоеЦитирований: 2
    ABI
  9. Без названия

    ДругоеЦитирований: 2
    ABI
  10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 2
    ABI
  11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 2
    ABI
  12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 2
    ABI
  13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 2
    ABI
  14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  17. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  18. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  19. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  20. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  21. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  22. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  23. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI