Перейти к основному содержанию
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 20

Работа: Temperature Dependence of the Main Parameters Determining the Interband Absorption Spectrum of a Si:H

  1. Temperature dependence of the energy gap in semiconductors

    Y. P. Varshni

    Статья1967Цитирований: 12
    ABI
  2. Hydrogenated Amorphous Silicon

    R. A. Street

    Книга1991Цитирований: 7
    ABI
  3. Temperature dependence of semiconductor band gaps

    K.P. O’Donnell, X. Chen

    Статья1991Цитирований: 4
    ABI
  4. Effect of Zn and Fe doping on vacancy cluster formation in Cu–In–Se system

    S.F. Samadov, Sarviniso Islamovna Ibragimova, S. H. Jabarov +5

    Статья2025Цитирований: 3
    ABI
  5. Без названия

    ДругоеЦитирований: 3
    ABI
  6. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  7. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  8. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  9. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI