Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 4

Работа: Variation of the Crystal Structure on Si(111) Surface Induced by Ion Bombardment and Subsequent Annealing

1. Analysis of the structure and properties of heterostructured nanofilms prepared by epitaxy and ion implantation methods

   Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, М. К. Рузибаева +3

   СтатьяMetal and Thin Film MechanicsTechnical Physics2013Цитирований: 15

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.222446

2. Specific features of the formation of arrays of silver clusters from a thin film on a SiO2 surface

   Д. Г. Громов, O. V. Pyatilova, S. V. Bulyarskiĭ +2

   Статья2013Цитирований: 6

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.269896

3. Ion-beam-induced amorphization and recrystallization in silicon

   Lourdes Pelaz, Luis A. Marqués, J. Barbolla

   Статья2004Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.269895

4. Fabrication of ultrafine silicon layers on sapphire

   A. A. Shemukhin, Yu. V. Balakshin, V. S. Chernysh +7

   Статья2012Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.269894