Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 13

Работа: Three-Band Simulation of the <a:math xmlns:a="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M1"> <a:mi>g</a:mi> </a:math>-Factor of an Electron in an InAs Quantum Well in Strong Magnetic Fields

  1. Electronic properties of two-dimensional systems

    Tsuneya Ando, A. B. Fowler, Frank Stern

    Статья1982Цитирований: 25
    ABI

  2. Band parameters for III–V compound semiconductors and their alloys

    I. Vurgaftman, J. R. Meyer, L. R. Ram‐Mohan

    Статья2001Цитирований: 21
    ABI

  3. Electron effective masses in an InGaAs quantum well with InAs and GaAs inserts

    V. A. Kulbachinskiı̆, N. A. Yuzeeva, Г. Б. Галиев +4

    Статья2012Цитирований: 4
    ABI

  4. Spin—Orbit Coupling Effects in Two-Dimensional Electron and Hole Systems

    R. Winkler

    Книга2003Цитирований: 3
    ABI

  5. Experimental measurements of effective mass in near-surface InAs quantum wells

    Joseph Yuan, Mehdi Hatefipour, Brenden A. Magill +11

    Статья2020Цитирований: 3
    ABI

  6. Electrons and Holes in Semiconductors

    Глава2018Цитирований: 2
    ABI

  7. Resonant interband tunnel diodes with AlGaSb barriers

    R. Magno, Allan S. Bracker, B. R. Bennett

    Статья2001Цитирований: 2
    ABI

  8. Modulation doping of InAs/AlSb quantum wells using remote InAs donor layers

    B. R. Bennett, M. J. Yang, B. V. Shanabrook +2

    Статья1998Цитирований: 2
    ABI

  9. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI