Работы, цитирующие эту работу

Работ: 1

1. Obtaining of epitaxial films of metal silicides by ion implantation and molecular beam epitaxy

   Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, E.U. Boltaev +1

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesMaterials Science and Engineering B2003Цитирований: 14

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2003.article.000028