← Назад к работе
Работы, на которые ссылается эта работа
Работ: 59
Работа: Analyzing the ZnO and CH3NH3PbI3 as Emitter Layer for Silicon Based Heterojunction Solar Cells
Fundamentals of zinc oxide as a semiconductor
Anderson Janotti, Chris G. Van de Walle
Статья2009Цитирований: 14ABITabulated values of the Shockley–Queisser limit for single junction solar cells
Статья2016Цитирований: 8ABIThe efficiency limit of CH3NH3PbI3 perovskite solar cells
Wei E. I. Sha, Xingang Ren, Luzhou Chen +1
Статья2015Цитирований: 3ABILuminescent layers for enhanced silicon solar cell performance: Up-conversion
Avi Shalav, Bryce S. Richards, Martin A. Green
Статья2007Цитирований: 3ABISynthesis, structures and temperature-dependent photoluminescence from ZnO nano/micro-rods on Zn foil
Yue Li Song, Tianjie Zhang, Hao Du +3
Статья2016Цитирований: 2ABIFundamental Efficiency Limit of Lead Iodide Perovskite Solar Cells
Luis Pazos, T. Patrick Xiao, Eli Yablonovitch
Статья2018Цитирований: 2ABI