← Назад к работе
Работы, цитирующие эту работу
Работ: 3
Работа: Wave processes in silicon samples with nickel impurities arising at pulsed hydrostatic pressure
Advanced Universal Hydrostatic Pressure Device with Pneumatic Amplifier for the Investigation of the Electrical and Thermal Properties of Semiconductors under Hydrostatic Pressure
Р. Х. Хамидов, О. О. Маматкаримов
СтатьяHigh-pressure geophysics and materialsInstruments and Experimental Techniques2022Цитирований: 11ABI