The Diffusion Coefficient of Germanium in Silicon

The germanium diffusion coefficients in Si and SiO2 are investigated by the use of secondary ion mass spectrometry (SIMS). The diffusion profiles are discussed in detail to obtain precise diffusion coefficients. The germanium diffusion coefficients in Si and SiO2 are measured as D = 7.55 × 103 exp (−5.08 eV/kT) cm2/s and D ≈ 8.9 × 10−3 exp (−3.9 eV/kT) cm2/s, respectively. Not only the activation energy but also the germanium diffusion coefficient in Si are very close to those of the Si self-diffusion. Die Diffusionskoeffizienten von Ge in Si und SiO2 werden mit Hilfe des SIMS untersucht. Die Diffusionsprofile werden ausführlich diskutiert, um präzise Diffusionskoeffizienten zu erhalten. Die Diffusionskoeffizienten von Ge in Si und SiO2 werden zu D = 7,55 × 103 exp (−5.08 eV/kT) cm2/s bzw. D ≈ 8,9 × 10−3 exp (−3.9 eV/kT) cm2/s gmessen. Nicht nur die Aktivierungsenergie sondern auch der Diffusionskoeffizient von Ge in Si liegen sehr nahe am Diffusionskoeffizienten der Selbstdiffusion von Si.

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